Улучшить долговременную память поможет работа одного гена
Известно, что обучение и память регулируются работой такой части мозга как гиппокамп. Новое исследование нейрофизиологов из Национального медицинского центра «Город надежды» (Калифорния, США) показало, что активация одного гена – рецептора TLX стимулирует образование новых нейронов в этой области (нейрогенез), что приводит к более быстрому запоминанию информации и просто улучшает долговременную память.
Известно, что кратковременная память длится порядка нескольких минут, она неустойчива и легко стирается под воздействием внешних факторов. Ее механизм связан с циркуляцией нервных импульсов по замкнутой цепи нейронов. А вот долговременная память может храниться всю жизнь, в ее образование вовлечены определенные группы генов и синтез белков.
По словам авторов, обнаружение гена, ответственного за формирование долгосрочной памяти - важный шаг на пути развития методов лечения различных расстройств, связанных с потерей памяти.
«Потеря памяти – это серьезная проблема, которая может происходить как при болезни Альцгеймера, так может быть связана и со многими другими заболеваниями, с процессом старения, а также с травмами. В нашем исследовании нам удалось на модели с мышами провести манипуляции с экспрессией гена, который отвечает за нейрогенез, внедряя дополнительную его копию. Теперь следующий этап – найти лекарственный препарат, который бы действовал на этот же ген, стимулируя его активность», - говорит ведущий автор исследования доктор Яньхун Ши (Yanhong Shi).
Головной мозг начинает формироваться у ребенка еще в утробе матери. После рождения существует несколько периодов его роста – в детстве и раннем взрослом возрасте. Удивительно, что нейрогенез происходит и у взрослых людей и даже в пожилом возрасте – в основном в гиппокампе.
Как объясняет Яньхун Ши, в данном исследовании им впервые удалось показать, что активация TLX гена улучшает способность мозга формировать долговременную память.
Результаты исследований авторов о том, как работа одного гена влияет на нашу память, опубликованы в последнем номере журнала PNAS.