Специалисты создали транзистор рекордно малых размеров из арсенида галлия-индия. Он лишен недостатков, свойственных кремниевым транзисторам этого размерного класса и в будущем позволит увеличить производительность компьютеров.
Разработка была представлена специалистами из Массачусетского технологического института на Международной конференции по электронным устройствам, состоявшейся в Сан-Франциско.
Производительность компьютеров зависит от числа транзисторов, помещающихся на его микрочипах, так что специалисты стремятся уменьшить их размер. Однако, когда он достигает нескольких десятков нанометров, величина тока в кремниевых транзисторах падает.Чтобы решить эту проблему, инженеры из Массачусетского технологического института предложили создавать транзисторы на основе арсенида галлия-индия, который ранее использовался при изготовлении оптико-волоконных кабелей.
Они разработали МОП-транзистор (устройства этого типа широко используются при производстве микропроцессоров) длиной всего 22 нанометра. Его электроды (сток, исток и затвор) выполнены из молибдена, покрытого монокристаллическим слоем арсенида галлия-индия, полученного в вакуумных условиях. «Мы создали устройство с отличными характеристиками и преодолели ограничения, присущие кремниевым транзисторам», -- пояснил Иисус дель Аламо, один из разработчиков.
В ближайшее время ученые планируют улучшить арсенид галлий-индиевые транзисторы, доведя их размер до 10 нанометров и уменьшив их сопротивление. Внедрение этой технологии в будущем позволит выполнять так называемый закон Мура, согласно которому количество транзисторов, размещаемых на микрочипах, должно удваиваться каждые два года. В последнее время ученые опасались, что этот процесс может замедлиться из-за приближения размеров кремниевых транзисторов к критическому минимуму.
