Лаборатория IBM Research в течение уже нескольких лет изучает возможности компьютерной памяти с изменением фазового состояния, также известной как PCM (phase-changing memory). Сегодня она добилась выдающихся результатов, продемонстрировав вполне работоспособный способ хранения трех битов данных в каждой ячейке памяти.
Память PCM, по данным портала Liliputing, разрабатывалась в качестве замены технологиям NAND и DRAM одновременно, на которых основаны, соответственно, модули постоянной и оперативной памяти. Тем не менее, на сегодняшний день ни одна компания, за исключением теперь уже IBM Research, не представила ничего сколько-нибудь перспективного в данном направлении.
Хранение трех битов данных вместо стандартных двух является катализатором к повышению эффективности модулей памяти и положительно влияет на снижение стоимости хранения информации. Другими словами, при равных объемах модули PCM могут оказаться существенно дешевле чипов NAND и DRAM.
Память PCM относится к категории энергонезависимых, равно как и NAND, то есть информация в ее ячейках хранится даже при отсутствии питания. Технология подразумевает наличие в памяти двух логических уровней: первый — это аморфное состояние вещества, а второй — кристаллическое состояние, и от текущего уровня зависит проводимость — низкая или высокая соответственно.
IBM Research не считает, что PCM может заменить DRAM, так как это все-таки энергозависимая память, развитие которой идет семимильными шагами, а вот у NAND с началом производства PCM-модулей появятся серьезные проблемы. По факту, PCM-чипы обладают более длительным сроком службы и одновременно более высокими скоростными показателями. Однако ряд сотрудников IBM Research считают, что NAND и PCM могут уживаться в корпусе одного накопителя: PCM-модули будут являться высокоскоростным буфером, а информацию драйв будет записывать во флеш-память, что приведет к колоссальному приросту скорости работы с данными.
