Компании Intel и Micron представили сегодня плод их продуктивного сотрудничества — новый тип памяти под названием 3D XPoint. Она относится к классу ReRAM и позиционируется в качестве замены NAND Flash. Модули NAND сейчас используются практически везде — в смартфонах и планшетах, в USB-накопителях и даже в SSD-драйвах.
Память 3D XPoint является энергонезависимой, как и NAND Flash, но она в 1000 раз быстрее и в 1000 раз устойчивее к износу, сообщает портал CNET. Представители Intel и Micron также отметили, что она в 10 раз плотнее по сравнению с DRAM. Сейчас 3D XPoint существует лишь в виде готовой технологии, но компании уже готовы начать производство опытных образцов модулей для отправки производителям накопителей и мобильной электроники. Старт этого производства назначен на этот год.
В Micron и Intel уверены, что первые потребительские устройства с модулями памяти 3D XPoint появятся на рынке уже в 2016 году. Нынешние модули они относят к первому поколению, что подразумевает дальнейшее развитие технологии. В этом году будет налажен выпуск 128-гигабитных чипов с двухуровневой структурой, где каждый слот имеет емкость 64 Гбит.
Нормы какого техпроцесса будут использоваться при производстве модулей 3D XPoint, пока неизвестно, но их выпуск будет налажен на заводе Micron в штате Юта, который поддерживает производство 300-миллиметровых пластин. К преимуществам 3D XPoint относится пока что теоретическая, но все же возможность наращивания количества слоев (уровней), что приведет значительному увеличению емкости накопителей при практически неизменной себестоимости.
Во время презентации 3D XPoint представители Intel и Micron обмолвились, что данная память относится к классу ReRAM, то есть резистивной памяти. При этом принцип работы механизма переключения узла они раскрывать не стали ввиду значительного количества компаний-конкурентов, которые не откажутся узнать секрет и тут же начать его использование.
