Компания IBM сообщила о прорыве в отрасли «кремниевой нанофотоники», которая помогает совмещать в чипах оптические компоненты и кремниевые. Исследователям впервые удалось разработать подобный чип на коммерческом оборудовании.
Джон Келли (John Kelly), вице-президент и директор корпорации отметил: «Прорыв стал результатам более чем десятилетней работы IBM. Теперь мы можем переместить данную технологию из стен лабораторий на заводы и приступить к выпуску новых микросхем, которые найдут применение в различных областях».
Новинка была создана на базе чипа, разработанного в 2010 году. На тот момент специалисты сообщили, что они сумели сконструировать микросхему, где вместо обычного электрического тока для передачи данных используется пульсация света, что значительно увеличивает скорость обработки информации. За счет модицифированной производственной линии ученым удалось интегрировать в микросхему мультипликаторы с разделением по длинам волн, а также модуляторы и детекторы, необходимые для передачи информации с помощью света.
С этой целью была использована линия по производству микросхем на базе технологии широкого применения КМОП с 90-нм технологической нормы. Выбор пал именно на 90-нм норму по причине невысокой стоимости и способности удовлетворить потребности в ближайшее десятилетие. Как отметил Юрий Власов, являющийся руководителем проекта Silicon Nanophotonics Project в IBM Research, использовать меньшую технологическую норму пока не имеет смысла.
Согласно данным IBM, чипы на базе кремниевой нанофотоники обеспечивают скорость передачи данных более 25 Гбит/с на канал. Использование мультипликаторов позволяет передавать одновременно по одному волокну несколько потоков данных. Доклад, посвященный новому прорыву, будет представлен в ходе конференции IEEE International Electron Devices Meeting, запланированной на 10 декабря в Сан-Франциско.
