Разрешите сайту отправлять вам актуальную информацию.

09:49
Москва
8 ноября ‘24, Пятница

Intel и Micron анонсировали 20-нанометровый техпроцесс

Опубликовано
Текст:
Понравилось?
Поделитесь с друзьями!

Компании Intel и Micron представили 20-нанометровый технологический процесс производства флеш-памяти, который позволит выпускать еще более миниатюрные элементы современных мобильных устройств.

В прошлом году компании Intel и Micron совместно представили 25-нанометровый технологический процесс производства флеш-памяти типа NAND (USB-накопители, карты памяти, SSD-драйвы). Останавливаться на достигнутом производители не стали, объявив о готовности перейти на еще более современную, 20-нанометровую технологию.

Техпроцесс 20 нм имеет существенные преимущества по сравнению даже с 25 нм, не говоря уже о 34 нм и более старых технологиях. 8-гигабайтная микросхема памяти, произведенная по 20-нанометровому технологическому процессу, имеет площадь всего в 118 квадратных миллиметров и занимает от 30 до 40 процентов меньше места на печатной плате по сравнению с 25-нанометровой микросхемой того же объема.

Выгода в уменьшении физических габаритов микросхем памяти очевидна, сообщает портал engadget.com, — занимая меньше места на основной плате сотового телефона или планшетного компьютера, она позволяет отдать высвободившееся место под установку какого-нибудь другого элемента, увеличивающего функциональность устройства в целом и его привлекательность в глазах покупателей.

Производство памяти объемом 8 Гб Intel и Micron начнут уже во второй половине текущего года, и примерно в тот же период времени разработчики представят 20-нанометровые решения с вдвое увеличенной емкостью, то есть 16-гигабайтовые. Дата релиза будет уточнена во время демонстрации их возможностей и перечисления областей их применения.

20- и 25-нанометровые техпроцессы похожи в том, что память, произведенная с учетом их норм и правил, имеет одинаково хорошую выносливость и очень высокую производительность. Об этом компании Intel и Micron рассказали в своем совместном пресс-релизе, выпущенном после пресс-конференции в США.

20-нанометровая память основывается на многоуровневых ячейках (MLC). Свое применение новая память найдет в различных типах мобильных устройств, начиная от обычных сотовых телефонов и заканчивая быстрыми твердотельными накопителями (Solid State Drive). Цена одной 8-гигабайтной микросхемы пока неизвестна.

Песков: Россия не ждет изменений экономической риторики США в отношении Москвы
Реклама